| 发明名称 | 光电半导体芯片及其制造的方法 | ||
| 摘要 | 说明了一种光电半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）和转换层（3）。半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射的有源层（2a）。转换层（3）布置在半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）上，其中转换层（3）适于将由有源层（2a）发射的辐射中的至少一部分转换成另一波长的辐射。半导体层序列（2）的辐射出射侧（21）具有第一纳米结构化部，其中转换层（3）布置在第一纳米结构化部（4）中。此外，说明了一种制造这种半导体芯片（10）的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103190003A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201180054262.0 | 申请日期 | 2011.11.02 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | M.扎巴蒂尔;A.林科夫;C.克尔佩尔;M.施特拉斯堡;N.冯马尔姆 |
| 分类号 | H01L33/20(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I;H01L33/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 丁永凡;刘春元 |
| 主权项 | 一种光电半导体芯片（10），其具有：‑ 半导体层堆叠（2），其具有设置用于产生辐射的有源层（2a）和辐射出射侧（21），以及‑ 转换层（3），其布置在半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）上，其中‑ 转换层（3）适于将由有源层（2a）发射的辐射中的至少一部分转换成另一波长的辐射，‑ 半导体层序列（2）的辐射出射侧（21）具有第一纳米结构化部（4），以及‑ 转换层（3）布置在第一纳米结构化部（4）中。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||