鳍片式场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及鳍片式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。根据本发明的制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成图案化的硬掩模；形成伪栅以包覆该硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分；利用该硬掩模和该伪栅作为掩模，刻蚀半导体衬底；在半导体衬底的暴露的表面上选择性生长锗硅或碳硅；去除伪栅，从而暴露硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分和在伪栅下方的部分半导体衬底；利用硬掩模的暴露的所述部分作为掩模，刻蚀暴露的所述部分半导体衬底以形成FinFET的沟道区；以及形成该FinFET的栅极结构。利用本发明的FinFET及其制造方法，可以提高FinFET中的载流子迁移率，并且提高FinFET的成品率。

主权项

一种制造鳍片式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：在半导体衬底上形成图案化的硬掩模；形成伪栅以包覆所述硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分；利用所述硬掩模和所述伪栅作为掩模，刻蚀所述半导体衬底；在所述半导体衬底的暴露的表面上选择性生长锗硅或碳硅；去除所述伪栅，从而暴露所述硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分和在所述伪栅下方的部分半导体衬底；利用所述硬掩模的暴露的所述部分作为掩模，刻蚀暴露的所述部分半导体衬底以形成所述鳍片式场效应晶体管的沟道区；以及形成所述鳍片式场效应晶体管的栅极结构。