| 发明名称 | 可变电阻存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，所述可变电阻存储器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有由沿一个方向延伸的隔离层限定的有源区；栅极线，所述栅极线经由隔离层和有源区沿与隔离层交叉的另一个方向延伸；保护层，所述保护层位于栅极线之上；接触插塞，所述接触插塞位于保护层之间的有源区的部分去除的空间中；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案与接触插塞的一部分耦接。 | ||
| 申请公布号 | CN103187526A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201210364526.9 | 申请日期 | 2012.09.26 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 宋锡杓;郑星雄;郑璲钰;金东准 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 石卓琼;俞波 |
| 主权项 | 一种可变电阻存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有由沿一个方向延伸的隔离层限定的有源区；栅极线，所述栅极线经由所述隔离层和所述有源区，沿与所述隔离层交叉的另一个方向延伸；保护层，所述保护层位于所述栅极线之上；接触插塞，所述接触插塞位于所述保护层之间的所述有源区的部分去除的空间中；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案与所述接触插塞的一部分耦接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||