| 发明名称 | 闪存芯片的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存芯片的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中不能有效避免控制栅倒塌的发生，降低了产品的良品率的问题。本发明实施例提供的方案为：一种闪存芯片的制作方法，在对源区进行离子注入的过程中，包括涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、离子注入、去除光刻胶步骤，在所述去除光刻胶的步骤之前，还包括对光刻胶进行UV烘焙处理。本发明实施例适用于闪存芯片及其他类型的存储芯片等。 | ||
| 申请公布号 | CN103187275A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110445289.4 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 屈亚东 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 汪洋;谢栒 |
| 主权项 | 一种闪存芯片的制作方法，在对源区进行离子注入的过程中，包括涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、离子注入、去除光刻胶步骤，其特征在于，在所述去除光刻胶的步骤之前，还包括对光刻胶进行UV烘焙处理，所述UV烘焙是指在烘焙的同时进行UV光照。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||