| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。 | ||
| 申请公布号 | CN103187279A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110451716.X | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 吴孝嘉;房世林;罗泽煌;陈正培;章舒;何延强 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 顾珊;汪洋 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||