一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，在外延层表面依次沉积二氧化硅层和多晶硅层，再利用多晶硅掩模形成多晶硅区作静电保护用，P型基区掺杂剂可在进行栅极沟槽侵蚀之前注入或在多晶硅区形成之后注入；然后，在外延层表面沉积层间介质，利用接触孔掩模在层间介质中形成开孔，并注入N型掺杂剂形成在有源区的N型源区和多晶硅区的N型区，之后对外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行金属插塞填充；最后，在器件的上表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线，本制备方法省略了基区掩模和源区掩模的工序。

主权项

一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，并在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；(2)在外延层表面依次沉积二氧化硅层和多晶硅层，再利用多晶硅掩模形成多晶硅区作静电保护用；(3)在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀，在层间介质中形成开孔，然后注入N型掺杂剂形成在有源区(active area)的N型源区和多晶硅区的N型区，之后对外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行金属插塞填充；(4)在器件的上表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。