一种检测器件肖特基漏电模式的方法

摘要

本发明公开了一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式。本发明是一种有效获得器件肖特基漏电模式的方法，实现了对器件肖特基漏电方式的检测，利于对器件进行肖特基漏电的可靠性分析，无论对于器件的工艺过程还是对器件可靠性的分析都具有重要的指导意义。

主权项

一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟合，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式；其中，所述对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，包括：测量不同直径下的肖特基二极管的I‑V曲线，得到恒定的反向栅压时的反向电流的大小，然后通过Origin分析软件，得到某一恒定栅压下的反向漏电流同直径之间的关系曲线；所述通过数值的拟合，获得泄漏电流同半径之间的相关性，包括：对该关系曲线的坐标分别取对数坐标，经过Origin的拟合，得到直线的斜率；所述根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式，包括：由得到的直线斜率大小，对器件漏泄电流进行失效分析，若斜率的值为2，说明漏泄电流正比于器件面积，漏电由金属半导体界面的质量差引起；若斜率的值为1，则漏电由边缘效应引起；若斜率的值介于1与2之间，则说明漏电由边缘效应和金属半导体界面的退化共同作用引起。