| 发明名称 | 氮化物基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物基半导体器件及其制造方法。通过在势垒层上形成SixC1-xN功能层，氮化物基半导体器件可以改善势垒层的表面粗糙度，并且可以通过（例如）抑制铝（Al）和氧（O）在势垒层上彼此结合来降低表面泄漏电流。此外，当与其中势垒层和电极彼此直接接触的结构相比时，其中在势垒层和电极之间形成有所述SixC1-xN功能层的结构中的势垒可相对较低。因此，可以降低工作电压从而提高电流密度。 | ||
| 申请公布号 | CN103187452A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201210593398.5 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李哉勋 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 丁业平;金小芳 |
| 主权项 | 一种氮化物基半导体器件，其包括：衬底；在所述衬底上形成的氮化镓（GaN）层；在所述GaN层上形成的势垒层，所述势垒层具有与所述GaN层不同的带隙能；和在所述势垒层上形成的硅碳氮化物（SixC1‑xN）功能层，其中所述SixC1‑xN功能层中的x的值在0<x<1的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||