光电二极管阵列

摘要

光电二极管阵列（10）包含：淬灭电阻（7），与各个雪崩光电二极管（APD）串联连接；外周配线（WL），包围形成有多个雪崩光电二极管（APD）的区域；及多个中继配线（8），电连接于外周配线（WL），且分别连接外周配线（WL）的至少2个部位之间。各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的一方经由淬灭电阻（7）而电连接于中继配线（8）的任意一个，各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的另一方电连接于设置于半导体基板的其它的电极（6）。

主权项

一种光电二极管阵列，其特征在于，包含：多个雪崩光电二极管，形成于半导体基板内；淬灭电阻，相对于各个雪崩光电二极管串联连接；外周配线，包围形成有多个所述雪崩光电二极管的区域；及多个中继配线，电连接于所述外周配线，且分别连接所述外周配线的至少2个部位之间，所述外周配线的每单位长度的电阻值小于所述中继配线的每单位长度的电阻值，各个所述雪崩光电二极管的阳极及阴极的一方经由所述淬灭电阻而电连接于所述中继配线的任意一个，各个所述雪崩光电二极管的阳极及阴极的另一方电连接于设置于所述半导体基板的其它的电极。