| 发明名称 | 一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中不能在逻辑单元和存储单元集成在同一芯片上的同时，实现对存储单元的灵活编程的问题。本发明实施例提供的方案为：一种一次性可编程存储单元，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述MOS管的源区上方覆盖隔离接触电极和源区的保留掩蔽层，所述保留掩蔽层用于编程时使所述接触电极和所述源区之间产生击穿。本发明实施例系统集成芯片、微处理芯片等。 | ||
| 申请公布号 | CN103187420A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110450303.X | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 蔡建祥;蔡进生;杜鹏;周玮 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 顾珊;汪洋 |
| 主权项 | 一种一次性可编程存储单元，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，其特征在于，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述MOS管的源区上方覆盖隔离接触电极和源区的保留掩蔽层，所述保留掩蔽层用于编程时使所述接触电极和所述源区之间产生击穿。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||