D类音频功率放大器中实现免除死区时间的电路结构

摘要

本发明涉及一种D类音频功率放大器中实现免除死区时间的电路结构，其包括脉宽调制器和驱动级电路，该驱动级电路为阈值自适应驱动级，阈值自适应驱动级包括两个FET，两个FET的漏极连通喇叭，阈值自适应驱动级控制两个FET的导通阈值，并择一导通两个FET。采用本发明的D类音频功率放大器中实现免除死区时间的电路结构能够有效抑制D类功放电路可能存在的直通电流，降低直通导致电路损坏的风险，减小开关功率损耗，同时避免现有技术中为直通电流而必须设置的死区时间，减小了由于设置死区时间造成的信号失真，从根本上消除设置的死区时间带来的负面影响，且本发明的结构简单，成本低廉，应用范围广泛。

主权项

一种D类音频功率放大器中实现免除死区时间的电路结构，所述的电路结构包括脉宽调制器和驱动级电路，所述的脉宽调制器的输入端连接音频信号和载波信号，所述的脉宽调制器的脉宽调制信号输出端连接所述的驱动级电路，所述的驱动级电路的输出端连接喇叭，其特征在于，所述的驱动级电路为阈值自适应驱动级，所述的阈值自适应驱动级包括两个场效应晶体管，所述的两个场效应晶体管的漏极为阈值自适应驱动级输出端，所述的阈值自适应驱动级输出端连通所述的喇叭，所述的阈值自适应驱动级控制所述的两个场效应晶体管的导通阈值，并择一导通所述的两个场效应晶体管。