半导体防静电保护结构

摘要

一种半导体防静电保护结构，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有圆弧形表面，所述鳍部和衬底掺杂有P型杂质离子，覆盖所述鳍部的圆弧形表面的栅极，位于所述鳍部两端且位于所述半导体衬底表面的源区和漏区，所述源区和漏区掺杂有N型杂质离子，其中，所述源区、半导体衬底、栅极接地，所述漏区与外电路相连接。由于所述鳍部的表面积大于现有技术的源漏区之间衬底的面积，单位面积上流过的漏极电流较小，所述鳍部的温度较低，不容易使得鳍部和栅极烧毁。且由于所述鳍部具有圆弧形的表面，不会出现局部流过的电流较大，不会使得局部区域产生的热量过大，避免使得鳍部和栅极结构烧毁。

主权项

一种半导体防静电保护结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有圆弧形表面，所述鳍部和衬底掺杂有P型杂质离子，覆盖所述鳍部的圆弧形表面的栅极，位于所述鳍部两端且位于所述半导体衬底表面的源区和漏区，所述源区和漏区掺杂有N型杂质离子，其中，所述源区、半导体衬底、栅极接地，所述漏区与外电路相连接。