| 发明名称 | 一种半导体芯片及其压焊块金属层增厚制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片及其压焊块金属层增厚制作方法，用以简化压焊块金属层增厚制作工艺，降低制作成本。所述压焊块金属层增厚制作方法包括：在硅衬底上生长第一金属层；对所述第一金属层进行光刻及刻蚀，获得包括金属熔丝和压焊块的金属走线；在所述金属走线上生长钝化层；对所述钝化层进行第一次光刻及刻蚀，获得露出压焊块区域的第一窗口；在具有所述第一窗口的钝化层上生长第二金属层；对所述第二金属层进行光刻及刻蚀，获得只覆盖压焊块区域的金属层，露出非压焊块区域的钝化层；对所述非压焊块区域的钝化层进行第二次光刻及刻蚀，获得露出金属熔丝区域的第二窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN103187323A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110448915.5 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 李娟 |
| 主权项 | 一种压焊块金属层增厚制作方法，其特征在于，该方法包括：在硅衬底上生长第一金属层；对所述第一金属层进行光刻及刻蚀，获得包括金属熔丝和压焊块的金属走线；在所述金属走线上生长钝化层；对所述钝化层进行第一次光刻及刻蚀，获得露出压焊块区域的第一窗口；在具有所述第一窗口的钝化层上生长第二金属层；对所述第二金属层进行光刻及刻蚀，获得只覆盖压焊块区域的金属层，露出非压焊块区域的钝化层；对所述非压焊块区域的钝化层进行第二次光刻及刻蚀，获得露出金属熔丝区域的第二窗口。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||