一种半导体结构

摘要

本实用新型提供了一种半导体结构，该半导体结构包括SOI衬底、栅极结构、侧墙和金属层，其中：所述SOI衬底包括SOI层和BOX层；所述栅极结构形成在所述SOI层之上；所述金属层形成在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内，该金属层与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触，并延伸至所述BOX层内；所述金属层与所述BOX层之间存在侧墙，所述金属层与所述SOI衬底的隔离区之间也存在侧墙。本实用新型提供的制造方法和半导体结构使得半导体器件在工作时金属层与SOI衬底的体硅层之间的电容减小，有利于提升半导体器件的性能。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括SOI衬底、栅极结构（200）、侧墙（160）和金属层（150），其中： 所述SOI衬底包括SOI层（100）和BOX层（110）； 所述栅极结构（200）形成在所述SOI层（100）之上； 所述金属层（150）形成在所述栅极结构（200）两侧的所述SOI衬底内，该金属层（150）与所述栅极结构（200）下方的所述SOI层（100）相接触，并延伸至所述BOX层（110）内； 所述金属层（150）与所述BOX层（110）之间存在侧墙（160），所述金属层（150）与所述SOI衬底的隔离区（120）之间也存在侧墙（160）。