| 发明名称 | 声界面波装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种频率偏差较小的声界面波装置的制造方法。该声界面波装置，按顺序叠层第1～第3媒质(1～3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中，准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2)，并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体，在该叠层体阶段，通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速，实施该调整后，形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN103187944A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201310070546.X | 申请日期 | 2005.03.24 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 门田道雄;神藤始 |
| 分类号 | H03H9/02(2006.01)I;H03H3/04(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 薛凯 |
| 主权项 | 一种声界面波装置的制造方法，该声界面波装置按顺序叠层第1～第3媒质、并且第1媒质与第2媒质间的界面上设有电极，该声界面波装置的制造方法，包括：准备叠层有第1媒质与第2媒质、并在第1、第2媒质的界面上设有电极的叠层体的工序；在上述叠层体阶段，通过第2媒质的膜厚调整频率、或声表面波的声速的调整工序；以及，上述调整工序后，形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质的工序。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||