| 发明名称 | 电压比较电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电压比较电路，该电压比较电路直接比较电源电压。具备：连接于VDD1和节点（1）之间的第一PMOS晶体管（12）；连接于节点（1）和VSS之间的第一NMOS晶体管（14）；连接于VDD2和节点（2）之间，且根据与栅极（G3）连接的节点（1）的电压动作的第二PMOS晶体管（16）；连接于节点（2）和VSS之间的第二NMOS晶体管（22），利用CMOS反相器（26）判定节点（2）的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103185830A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201210585298.8 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 拉碧斯半导体株式会社 | 发明人 | 岩佐洋助 |
| 分类号 | G01R19/165(2006.01)I | 主分类号 | G01R19/165(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李伟;舒艳君 |
| 主权项 | 一种电压比较电路，其特征在于，具备：连接于第1电位供给线和第1节点之间的电压调整单元；连接于所述第1节点和固定电位供给线之间的第1恒流源；连接于第2电位供给线和第2节点之间，且根据与控制端子连接的所述第1节点的电压动作的开关元件；连接于所述第2节点和所述固定电位供给线之间的第2恒流源。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||