发明名称 应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架
摘要 本发明涉及一种引线框架,更确切的说,本发明旨在提供一种应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架。本发明提供了铝合金混合材料中各基本材料的种类及其比例关系,以及利用该混合材料所制备的铝合金引线框架。并先在引线框架上电镀一层第一金属电镀层,然后再在第一金属电镀层上电镀第二金属电镀层和第三金属电镀层。将镀有第一、第二、第三金属电镀层的引线框架用来完成芯片粘贴、引线键合和塑封工艺等制造流程。完成塑封工艺之后,还需要在第三金属电镀层裸露在塑封材料之外的区域上电镀第四金属电镀层。
申请公布号 CN103187382A 申请公布日期 2013.07.03
申请号 CN201110461629.2 申请日期 2011.12.27
申请人 万国半导体(开曼)股份有限公司 发明人 牛志强;鲁明朕;薛彦迅;霍炎;潘华;连国锋;鲁军;何约瑟
分类号 H01L23/495(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种利用铝合金引线框架制备功率半导体元器件的方法,其中,所述引线框架包含多个芯片安装单元以及包含多个设置在芯片安装单元周围的引脚,其特征在于,包括以下步骤:在所述引线框架的表面依次电镀第一、第二、第三金属电镀层;在芯片安装单元所包含的芯片粘贴区的顶面粘贴芯片,并利用多条键合引线将设置在芯片正面的多个电极分别电性连接在不同引脚所包含的引脚焊区上;进行塑封工艺,形成包覆在芯片粘贴区顶面的并同时还将芯片、键合引线以及引脚焊区包覆的塑封体;在所述引脚所包含的延伸至塑封体之外的外部引脚上进一步电镀第四金属电镀层。
地址 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1-1107玛丽街122号P.O.709邮箱
您可能感兴趣的专利