| 发明名称 | 一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法。应用后栅极的方法形成c-JFET。 | ||
| 申请公布号 | CN103187259A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110458243.6 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上形成第一导电类型的半导体层；在所述半导体层上形成伪栅极；在所述伪栅极两侧形成侧壁间隔物；在所述伪栅极两侧形成源区和漏区；去除所述伪栅极，在去除伪栅极所露出的开口中形成第二导电类型的第一半导体区；在所述开口中形成栅极。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||