发明名称 | 集成电路版图中冗余金属的填充方法 | ||
摘要 | 本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响,这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响,提高产品的可靠性。 | ||
申请公布号 | CN102456080B | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
申请号 | CN201010514565.3 | 申请日期 | 2010.10.21 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨飞;陈岚;阮文彪;李志刚;王强;周隽雄;叶甜春 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
主权项 | 一种集成电路版图中冗余金属的填充方法,其特征在于,矩形冗余金属的长边与信号线平行;当一条面积确定的冗余金属填充于两条平行的信号线之间时,所述矩形冗余金属的长边与所述两条信号线中较短的一条长度相等,且填充于所述两条信号线之间的中心线位置;当两条或两条以上面积确定的冗余金属填充于两条平行的信号线之间时,所述两条或两条以上冗余金属排列为一排填充于所述两条信号线之间的中心线位置;当两条或两条以上面积确定的冗余金属分两排或两排以上填充于两条平行的信号线之间时,所述各排冗余金属之间在垂直于所述信号线方向上对齐排列。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |