| 发明名称 | 结型场效应管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种结型场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区；形成位于所述阱区表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有贯穿其厚度的应力衬垫层图形；以所述第一绝缘层为掩膜，沿所述应力衬垫层图形刻蚀所述阱区和部分厚度的半导体衬底，形成第一开口；向所述第一开口内填充满应力衬垫层；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述应力衬垫层、第一绝缘层和部分阱区，且所述第二绝缘层内定义出第一子栅图形；沿所述第一子栅图形，向所述阱区和半导体衬底内注入离子，于半导体衬底和阱区交界处形成第一子栅。本发明实施例形成的结型场效应管的载流子迁移率高，性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103187308A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110453500.7 | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/337(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/337(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种结型场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区；形成位于所述阱区表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有贯穿其厚度的应力衬垫层图形；以所述第一绝缘层为掩膜，沿所述应力衬垫层图形刻蚀所述阱区和部分厚度的半导体衬底，形成第一开口；向所述第一开口内填充满应力衬垫层；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述应力衬垫层、第一绝缘层和部分阱区，且所述第二绝缘层定义出第一子栅图形；沿所述第一子栅图形，向所述阱区和半导体衬底内注入离子，于半导体衬底和阱区交界处形成第一子栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||