| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de lissage de la surface d'une plaque semiconductrice, comprenant la mise en fusion de ladite surface par balayage de ladite surface par un faisceau de fusion, caractérisé en ce qu'il comprend :
■ La définition d'une longueur de référence,
■ Le réglage des paramètres du faisceau de fusion de manière à fusionner, lors du balayage de la surface, une zone locale de surface de la plaque dont la longueur est supérieure ou égale à la longueur de référence,
■ La fusion ainsi réalisée permettant de lisser ladite surface de manière à éliminer les rugosités de surface de période inférieures à la longueur de référence.
La présente invention concerne également une plaque semiconductrice comprenant une couche de surface en un matériau semiconducteur à cet effet.
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