| 发明名称 | 一种半导体纳米材料器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体纳米材料器件及其制作方法，制作方法包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述轻掺杂半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四，去除所述过渡层的未被所述电极覆盖的区域；步骤五，进行半导体纳米材料器件的后续加工。本发明采用在低掺杂的半导体材料表面沉积高掺杂的过渡层来减小材料与金属电极之间的接触，之后去除电极之外的高掺杂层，既保证了较小的接触电阻，同时也消除了高掺杂层对器件的影响，使器件的性能有很大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103187249A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110455639.5 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 刘冬华;张广宇;时东霞 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 郭海彬;范晓斌 |
| 主权项 | 一种半导体纳米材料器件的制作方法，其特征在于，包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四，去除所述过渡层的未被所述电极覆盖的区域；步骤五，进行半导体纳米材料器件的后续加工。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||