具有高维持电压低触发电压ESD特性的晶闸管

摘要

本发明涉及半导体集成芯片的保护电路技术领域，特别涉及一种具有高维持电压低触发电压ESD特性的晶闸管，所述晶闸管从下至上依次包括：衬底层(311)、阱区层和栅氧层，所述阱区层包括N阱区和P阱区，所述N阱区邻接所述P阱区，所述N阱区和P阱区均与所述衬底层(311)相接触，所述阱区层包括一个N阱区(309)和一个P阱区(310)，所述P阱区(310)和N阱区(309)交界处设有第一N+掺杂区(305)，所述N阱区(309)设有第一P+掺杂区(304)，所述P阱区(310)设有第二N+掺杂区(306)和第二P+掺杂区(307)。本发明通过在原有晶闸管结构上进行改进，降低了晶闸管的触发电压，并提高了晶闸管的维持电压，使得晶闸管可较为理想的作为ESD箝位保护器件。

主权项

一种具有高维持电压低触发电压ESD特性的晶闸管，其特征在于，所述晶闸管从下至上依次包括：衬底层（311）、阱区层和栅氧层，所述阱区层包括N阱区和P阱区，所述N阱区邻接所述P阱区，所述N阱区和P阱区均与所述衬底层相接触，所述阱区层包括一个N阱区（309）和一个P阱区（310），所述P阱区（310）和N阱区（309）交界处设有第一N+掺杂区（305），所述N阱区（309）设有第一P+掺杂区（304），所述P阱区（310）设有第二N+掺杂区（306）和第二P+掺杂区（307），所述第一P+掺杂区（304）和第一N+掺杂区（305）之间设有绝缘材料区（313），且所述第二P+掺杂区（307）和第二N+掺杂区（306）之间也设有绝缘材料区（313）；所述栅氧层设于所述阱区层上表面，且位于所述第二N+掺杂区（306）和第一N+掺杂区（305）之间，所述第一N+掺杂区（305）和第一P+掺杂区（304）连接，且连接点作为阳极（301），所述栅氧层、第二N+掺杂区（306）和第二P+掺杂区（307）互相连接，且连接点作为阴极（303）。