发明名称 |
硅基板的洗净方法和太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
包括:用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面,在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序;用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔,在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序;用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序;和用含有臭氧的水处理采用上述碱药液蚀刻的硅基板,在形成于该硅基板的上述孔的内部产生气泡,将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。 |
申请公布号 |
CN103189966A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201280003421.9 |
申请日期 |
2012.03.15 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
西本阳一郎;安永望;松田高好 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李英 |
主权项 |
硅基板的洗净方法,其特征在于,包括:采用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面,在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序;采用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔,在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序;采用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序;和用含有臭氧的水对采用上述碱药液蚀刻的硅基板进行处理,在该硅基板形成的上述孔的内部产生气泡,将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。 |
地址 |
日本东京 |