CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法

摘要

本发明提供一种相变存储器底部接触结构的形成方法，包括：提供表面形成有至少两个导电插塞结构的晶片；在该晶片的表面依次淀积刻蚀终止层、第一介电层、第二金属层；光刻、刻蚀第二金属层、第一介电层与刻蚀终止层形成开口，该开口的两个相对的侧壁分别落在两个导电插塞上；淀积第一金属层；去除相邻导电插塞之间的第一金属层；淀积第二介电层，填充所述开口；依次研磨第二介电层、第一金属层、第二金属层形成相变存储器底部接触结构，所述研磨过程中，采用感应电流法检测研磨终点。本发明还提供一种化学机械研磨终点的检测方法，不限于相变存储器底部接触结构的制作。采用本发明的技术方案，对研磨终点的判断准确，且对硬件的要求低。

主权项

一种化学机械研磨终点的检测方法，其特征在于，包括：提供待研磨晶片，所述待研磨晶片表面具有第一介电层；在所述第一介电层上淀积第一金属层；在所述第一金属层上淀积第二金属层；在所述第二金属层上淀积第二介电层；依次研磨所述第二介电层、第二金属层、第一金属层；采用感应电流法检测所述研磨终点。