发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述栅极结构的顶面和侧壁上、以及所述半导体衬底上形成阻挡层;在所述栅极结构两侧的所述阻挡层上形成第一层间介质层;在所述栅极结构两侧形成第一金属连线;去除所述阻挡层,在所述栅极结构两侧形成空气间隙。通过在金属连线之间形成空气间隙,降低了寄生电容,有利于减小RC延迟。 |
申请公布号 |
CN103187449A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201110459743.1 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
倪景华;李凤莲 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体结构,包括:半导体衬底;栅极结构,位于所述半导体衬底上,所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中具有源/漏极;以及金属连线,用于将所述源/漏极引出,其特征在于,引出所述源极或所述漏极的金属连线分别与所述栅极结构之间具有空气间隙。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |