发明名称 |
硅通孔检测结构及检测方法 |
摘要 |
一种硅通孔检测结构及检测方法,所述硅通孔检测结构包括:半导体基底,位于所述半导体基底内的硅通孔;位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层;位于所述层间介质层表面的检测金属层,所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。利用所述检测电压检测所述硅通孔和检测金属层之间的击穿电压,所述检测金属层的电阻值,从而判断所述硅通孔表面是否存在铜突起,检测敏感、方便。 |
申请公布号 |
CN103187398A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201110456998.2 |
申请日期 |
2011.12.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
冯军宏;甘正浩 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种硅通孔检测结构,其特征在于,包括:半导体基底,位于所述半导体基底内的硅通孔;位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层;位于所述层间介质层表面的检测金属层,所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |