| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅极结构；刻蚀半导体衬底，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；对所述开口进行退火处理，使所述开口的底部和侧壁变得圆滑；采用湿法刻蚀工艺，继续刻蚀退火处理后的所述开口，使所述开口向沟道区延伸；待湿法刻蚀后，填充满所述开口形成应力衬垫层。形成应力衬垫层时生长速率快，形成的应力衬垫层的质量好，且晶体管沟道区的应力大，满足工艺需求，沟道区载流子迁移率高，晶体管的性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103187269A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110457018.0 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅极结构；刻蚀半导体衬底，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；对所述开口进行退火处理，使所述开口的底部和侧壁变得圆滑；采用湿法刻蚀工艺，继续刻蚀退火处理后的所述开口，使所述开口向沟道区延伸；待湿法刻蚀后，填充满所述开口形成应力衬垫层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||