发明名称 在一XDR DRAM记忆体系统中处理写入遮罩作业之方法、装置及电脑程式产品
摘要 本发明提供一种用于在一XDRTMDRAM记忆体系统中处理写入遮罩作业之方法、装置及电脑程式产品。由于遮罩产生系随资料接收而完成,本发明消除了对一双埠阵列之需要。由于仅对256个可能位元组值中的144个进行解码,遮罩计算仅需要较少逻辑。遮罩值产生并储存于一遮罩阵列中。独立地,写入资料系储存于一写入缓冲器中。利用该遮罩值以产生一写入遮罩命令。一旦发出该写入遮罩命令,该写入资料及该遮罩值即被传输至一多工器。多工器使用该遮罩值系遮罩该写入资料,因而经遮罩之资料可被储存于XDR DRAM。
申请公布号 TWI400614 申请公布日期 2013.07.01
申请号 TW095116271 申请日期 2006.05.08
申请人 万国商业机器公司 美国 发明人 保罗 艾伦 甘斐尔德;肯特 哈洛德 哈赛荷斯;查尔斯 雷 约翰;培崇 彼得 刘
分类号 G06F13/16;G11C29/42 主分类号 G06F13/16
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国