发明名称 |
在一XDR DRAM记忆体系统中处理写入遮罩作业之方法、装置及电脑程式产品 |
摘要 |
本发明提供一种用于在一XDRTMDRAM记忆体系统中处理写入遮罩作业之方法、装置及电脑程式产品。由于遮罩产生系随资料接收而完成,本发明消除了对一双埠阵列之需要。由于仅对256个可能位元组值中的144个进行解码,遮罩计算仅需要较少逻辑。遮罩值产生并储存于一遮罩阵列中。独立地,写入资料系储存于一写入缓冲器中。利用该遮罩值以产生一写入遮罩命令。一旦发出该写入遮罩命令,该写入资料及该遮罩值即被传输至一多工器。多工器使用该遮罩值系遮罩该写入资料,因而经遮罩之资料可被储存于XDR DRAM。 |
申请公布号 |
TWI400614 |
申请公布日期 |
2013.07.01 |
申请号 |
TW095116271 |
申请日期 |
2006.05.08 |
申请人 |
万国商业机器公司 美国 |
发明人 |
保罗 艾伦 甘斐尔德;肯特 哈洛德 哈赛荷斯;查尔斯 雷 约翰;培崇 彼得 刘 |
分类号 |
G06F13/16;G11C29/42 |
主分类号 |
G06F13/16 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |