形成遮蔽闸极场效应电晶体之方法

摘要

一种场效电晶体系如下来制成。一沟槽会被形成于一半导体区域中。一衬垫该沟槽之侧壁和底部的介电层会被制成。该沟槽会充填一导电材料。该导电材料会被削低于沟槽内而在该沟槽的底部形成一屏蔽电极。该导电材料的削低可包括等向性蚀刻该导电材料。一电极间介电层(ILD)会被制设在该削低的屏蔽电极上。