发明名称 电容元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种具高介电材料及多层垂直式平板电极的电容元件,系可采低温制程直接制作在一晶圆上而与该晶圆上的主动元件整合在一起,以减少该电容元件组装及制作的成本。本发明亦利用矽导孔(Through-Silicon-Via)技术于该电容元件形成垂直导线,而利于制作堆叠式电容元件,进一步提高电容。
申请公布号 TWI400731 申请公布日期 2013.07.01
申请号 TW097133268 申请日期 2008.08.29
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 张恕铭;江家雯
分类号 H01G4/33;H01L23/535;H01L27/04 主分类号 H01G4/33
代理机构 代理人 郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号13楼;林发立 台北市大安区仁爱路3段136号13楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号