发明名称 |
用于电子基体之选择性无电式镀敷方法 |
摘要 |
于若干实施例中,提供用于电子基体之选择性无电式镀敷技术。就此方面而言,介绍一种方法包括:于一基体之一表面上形成一薄膜,该薄膜系设计成可防止一无电式镀敷催化剂之播晶种作用;通过该薄膜雷射烧蚀该基体表面而形成沟槽;及以无电式镀敷催化剂对该基体表面播晶种。本文也揭示其他实施例及加以请求专利。 |
申请公布号 |
TWI400748 |
申请公布日期 |
2013.07.01 |
申请号 |
TW097147821 |
申请日期 |
2008.12.09 |
申请人 |
英特尔公司 美国 |
发明人 |
琼玛 霍森;雀儿 欧玛J;沙拉玛 伊斯兰 |
分类号 |
H01L21/283;H01L21/20;C23C20/02 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |