发明名称 用于电子基体之选择性无电式镀敷方法
摘要 于若干实施例中,提供用于电子基体之选择性无电式镀敷技术。就此方面而言,介绍一种方法包括:于一基体之一表面上形成一薄膜,该薄膜系设计成可防止一无电式镀敷催化剂之播晶种作用;通过该薄膜雷射烧蚀该基体表面而形成沟槽;及以无电式镀敷催化剂对该基体表面播晶种。本文也揭示其他实施例及加以请求专利。
申请公布号 TWI400748 申请公布日期 2013.07.01
申请号 TW097147821 申请日期 2008.12.09
申请人 英特尔公司 美国 发明人 琼玛 霍森;雀儿 欧玛J;沙拉玛 伊斯兰
分类号 H01L21/283;H01L21/20;C23C20/02 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 美国