用于交叉点之三维及三维肖脱基二极体、可变电阻材料记忆体、其制造方法及使用方法

摘要

一种可变电阻材料记忆体(VRMM)器件包括一容器型导体，其安置于一耦接至一VRMM之磊晶半导电突起上方。一VRMM器件亦可包括一位于一凹部中之导电插塞，其耦接至一VRMM。一VRMM阵列亦可包括一位于一周围凹部中之导电插塞，其耦接至一VRMM。装置包括具有该等二极体构造中之一者的VRMM。