发明名称 决定晶体穿透效应与侦检效率以及侦检效率校正之方法
摘要 本发明提出的晶体级侦检效率校正方式,能够有效地评估出闪烁侦检器之晶体穿透效应所造成影响,因此能正确计算出晶体间之侦检效率差异,给予适当的校正,以增进整体造影结果品质。本发明所提出之执行方法简单,也不需修改硬体装置之设计,不会造成开发成本、人力与时间上的负担。
申请公布号 TWI400470 申请公布日期 2013.07.01
申请号 TW098136868 申请日期 2009.10.30
申请人 行政院原子能委员会核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号 发明人 蔡典修;詹美龄;倪于晴
分类号 G01T1/202;G01T1/16 主分类号 G01T1/202
代理机构 代理人 刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼
主权项
地址 桃园县龙潭乡文化路1000号