发明名称 |
决定晶体穿透效应与侦检效率以及侦检效率校正之方法 |
摘要 |
本发明提出的晶体级侦检效率校正方式,能够有效地评估出闪烁侦检器之晶体穿透效应所造成影响,因此能正确计算出晶体间之侦检效率差异,给予适当的校正,以增进整体造影结果品质。本发明所提出之执行方法简单,也不需修改硬体装置之设计,不会造成开发成本、人力与时间上的负担。 |
申请公布号 |
TWI400470 |
申请公布日期 |
2013.07.01 |
申请号 |
TW098136868 |
申请日期 |
2009.10.30 |
申请人 |
行政院原子能委员会核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号 |
发明人 |
蔡典修;詹美龄;倪于晴 |
分类号 |
G01T1/202;G01T1/16 |
主分类号 |
G01T1/202 |
代理机构 |
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代理人 |
刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼 |
主权项 |
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地址 |
桃园县龙潭乡文化路1000号 |