发明名称 VIA TSV DOTE D'UNE STRUCTURE DE LIBERATION DE CONTRAINTES ET SON PROCEDE DE FABRICATION
摘要 La présente demande concerne la mise en oeuvre d'un structure de via TSV comprenant une partie supérieure réalisée du côté de la face avant d'un substrat où se trouvent des composants électroniques et une partie inférieure de hauteur et de section transversale plus faibles que celles de la partie supérieure, l'agencement de l'élément de connexion dans le substrat étant tel qu'il permet de libérer des contraintes générées par les différents matériaux de ladite structure (figure 1).
申请公布号 FR2985088(A1) 申请公布日期 2013.06.28
申请号 FR20110062372 申请日期 2011.12.23
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 LAMY YANN
分类号 H01L23/522;H01L21/768 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
主权项
地址