| 摘要 |
1. Подложка активной матрицы, содержащая:изолирующую подложку;пиксел, содержащий запоминающее устройство, сформированное из активных элементов на изолирующей подложке;межслойную изолирующую пленку, сформированную на изолирующей подложке и активных элементах; иотражательный электрод на межслойной изолирующей пленке, причем высота отражательного электрода является разной вследствие неровности, сформированной на поверхности отражательного электрода, в пределах диапазона от 100 нм до 500 нм.2. Подложка активной матрицы, содержащая:изолирующую подложку;пиксел, содержащий запоминающее устройство, сформированное из активных элементов на изолирующей подложке;межслойную изолирующую пленку, сформированную на изолирующей подложке и активных элементах; иотражательный электрод на межслойной изолирующей пленке,причем, если свет поступает по направлению -30° относительно нормали к подложке активной матрицы и измерена интенсивность этого отраженного света, удовлетворяется следующее выражение:0,02<I(35°)/I(30°)<0,1,где I(θ°) обозначает интенсивность отраженного света, измеренную в направлении θ градусов относительно нормали к подложке активной матрицы.3. Подложка активной матрицы по п.2, для которой удовлетворяется следующее выражение:I(40°)/I(30°)<0,02.4. Подложка активной матрицы по п.1, в которой область, в которой сформированы активные элементы и проводники, занимает по меньшей мере одну треть от области пикселя.5. Подложка активной матрицы по п.2, в которой область, в которой сформированы активные элементы и проводники, занимает по меньшей мере одну треть от области пикселя.6. Подложка активной матрицы по п.3, в которой область, в � |
