Siliziumkarbid-Substrat, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Ein Siliziumkarbid-Substrat (1) wird aus Siliziumkarbid hergestellt. Bei dem Siliziumkarbid-Substrat (1) bilden eine Normallinie einer Hauptfläche (1A) des Siliziumkarbid-Substrats (1) und eine Normallinie einer {03–38}-Ebene einen Winkel von 0,5° oder weniger in einer Orthogonalprojektion auf eine Ebene, die eine <01–10>-Richtung und eine <0001>-Richtung einschließt. Auf diese Weise kann das Siliziumkarbid-Substrat (1) geschaffen werden, das sowohl Verbesserung von Kanalbeweglichkeit einer Halbleitervorrichtung als auch stabile Eigenschaften derselben ermöglicht.