Messen von Stromstärke und Widerstand unter Verwendung einer kombinierten Dioden/Widerstands-Struktur zum Überwachen von Abweichungen im Herstellungsverfahren für integrierte Schaltungen

摘要

Innerhalb einer integrierten Schaltungsstruktur werden mehrere Diode/Widerstands-Einheiten gebildet, wobei eine Herstellungsanlage benutzt wird, die operativ mit einer computergesteuerten Maschine verbunden ist. Jede der Diode/Widerstands-Einheiten weist eine Diodeneinheit und eine Widerstandseinheit auf, welche in einer Einzelstruktur integriert sind. Der Widerstand jeder der Diode/Widerstands-Einheiten wird während des Testens der integrierten Schaltungsstruktur gemessen, wobei eine Testanlage benutzt wird, die operativ mit der computergesteuerten Maschine verbunden ist. Die Stromstärke durch jede der Diode/Widerstands-Einheiten wird ebenfalls unter Benutzung der Testanlage während des Testens der integrierten Schaltungsstruktur gemessen. Anschließend werden Reaktionskurven für den Widerstand und die Stromstärke als Funktion von Abweichungen von Eigenschaften von Transistoreinheiten innerhalb der integrierten Schaltungsstruktur und/oder Abweichungen von Herstellungsverfahren der Transistoreinheiten innerhalb der integrierten Schaltungsstruktur berechnet.