VERFAHREN ZUR FERTIGUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

摘要

Es wird ein Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, bei dem eine Isolierschicht (6) auf einer Frontoberfläche (3a) eines Halbleitersubstrats (3) gebildet wird. Gräben (8) werden unter Verwendung der Isolierschicht (6) als Maske derart im Substrat (3) gebildet, dass ein erster Abschnitt (6a) der Isolierschicht (6) auf der Frontoberfläche (3a) zwischen den Gräben (8) angeordnet ist und ein zweiter Abschnitt (6b) der Isolierschicht (6) auf der Frontoberfläche (3a) an einer Position nicht zwischen den Gräben (8) angeordnet ist. Der gesamte erste Abschnitt (6a) wird entfernt, und der zweite Abschnitt (6b) um eine Öffnung jedes Grabens (8) herum wird entfernt. Die Gräben (8) werden mit einer Epitaxialschicht (9) gefüllt, durch epitaktisches Aufwachsen der Epitaxialschicht (9) auf der Seite der Frontoberfläche (3a). Die Seite der Frontoberfläche (3a) wird unter Verwendung des verbleibenden zweiten Abschnitts (6b) als Polierstoppschicht poliert.