| 摘要 |
1. Полупроводниковый диод для средневолнового инфракрасного диапазона спектра, включающий гетероструктуру, содержащую подложку и эпитаксиальные слои p- и n-типа проводимости, разделенные p-n переходом, неактивную и активную области, электрически связанные с упомянутым p-n переходом и разделенные мезой травления на эпитаксиальной поверхности, контакты, при этом контакт к активной области расположен на упомянутой поверхности, а контакт к неактивной области расположен сбоку от активной области и имеет поперечный размер вдоль упомянутой поверхности в направлении, проходящем между контактом к неактивной области и упомянутой мезой, соразмерный с максимальным размером мезы в том же направлении, а минимальное расстояние между проекциями краев мезы и диода на поверхность подложки L, по крайней мере, для двух ортогональных направлений вдоль поверхности подложки выбирают из интервала:0,8·D≥L≥D/20,где D - диаметр вписанной в проекцию мезы окружности.2. Полупроводниковый диод по п.1, в котором меза имеет расширение в направлении от эпитаксиальной поверхности к подложке, а ее высота составляет 20-80 мкм.3. Полупроводниковый диод по п.1, в котором проекция активной области на плоскость p-n перехода представляет собой фигуру, в которой, по крайней мере, две пары элементов расположены симметрично относительно центра контакта и являются частью прямоугольника или квадрата.4. Полупроводниковый диод по п.3, в котором проекция контакта к активной области на плоскость p-n перехода представляет собой фигуру, в которой, по крайней мере, две пары элементов расположены симметрично относительно центра контакта и являются частью прямоугольника |
