METHOD FOR FORMING A FRONT-SIDE METALLISATION OF A SOLAR CELL, AND SOLAR CELL

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden einer einfallender Strahlung zugewandten frontseitigen Metallisierung eines insbesondere siliciumbasierten Wafers (12) mit zwei parallel zueinander verlaufenden Längsrändern (14, 20), bestimmt für eine Solarzelle (10), mit p-leitender und n-leitender Halbleiterschicht und einem zwischen diesen verlaufendem pn-Übergang, wobei mit frontseitiger Halbleiterschicht zumindest zwei Busbars und mit sowohl der Halbleiterschicht als auch den Busbars (22, 24, 26, 28) Leiterbahnen (30, 32) zur Bildung der Metallisierung kontaktiert werden. Zur Vermeidung teurer Materialien für die Leiterbahnen wird vorgeschlagen, dass mit der frontseitigen Halbleiterschicht insgesamt mindestens vier Busbars (22, 24, 26, 28) kontaktiert werden, die parallel zueinander und zu den Längsrändern (14, 20) und im gleichen oder in etwa gleichem Abstand zueinander angeordnet werden, wobei halber Abstand zwischen zwei benachbarten Busbars gleich oder in etwa gleich Abstand zwischen einem Längsrand und benachbartem Busbar gewählt wird.