| 摘要 |
<p>Eine Aufgabe eines Ausführungsbeispieles der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine hochgradig betriebssichere Halbleitervorrichtung herzustellen, die einen Transistor umfasst, der einen Oxidhalbleiter beinhaltet, bei dem die Änderung von elektrischen Eigenschaften gering ist. Bei dem Transistor, der einen Oxidhalbleiter umfasst, wird ein Sauerstoffüberschuss aufweisendes Siliziumoxid (SiOx mit X > 2) für eine Basisisolierschicht einer Top-Gate-Struktur oder für eine Schutzisolierschicht einer Bottom-Gate-Struktur verwendet. Durch Verwenden des Sauerstoffüberschuss aufweisenden Siliziumoxides wird Sauerstoff von der Isolierschicht abgegeben, und es können der Sauerstoffmangel einer Oxidhalbleiterschicht und die Grenzflächenzustandsdichte zwischen der Oxidhalbleiterschicht und der Basisisolierschicht oder der Schutzisolierschicht verringert werden, sodass eine hochgradig betriebssichere Halbleitervorrichtung hergestellt werden kann, bei der die Änderung von elektrischen Eigenschaften gering ist.</p> |
