发明名称 |
一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法 |
摘要 |
本发明提供了一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生长方法;所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层,本发明还涉及前述结构的生长方法,所述方法包括如下步骤,首先净化处理衬底,然后依次生长低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p型氮化镓层、p型铝镓氮层层、高温p型氮化镓层。本发明高阻隔离层电阻率高、漏电很小、夹断特性好,从而提高氮化镓基LED的发光效率,延长器件寿命。 |
申请公布号 |
CN103178178A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201310118493.4 |
申请日期 |
2013.04.08 |
申请人 |
合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
发明人 |
吴礼清;杨奎;蒋利民;郭丽彬 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构,其特征在于,所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p 型氮化镓层、p 型铝镓氮层层、高温p 型氮化镓层。 |
地址 |
230012 安徽省合肥市新站区工业园内 |