| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有以下步骤：N型埋入层形成步骤，在P型半导体的基底衬底上形成N型埋入层；外延生长层形成步骤，在所述基底衬底上形成P型外延生长层，作为半导体衬底；第一P型阱层形成步骤，在形成低耐压的N型第一横向MOS晶体管的区域中，形成第一P型阱层；第一N型阱层形成步骤，在形成低耐压的P型第二横向MOS晶体管的区域中，形成第一N型阱层；第二P型阱层形成步骤，在形成高耐压的N型第三横向MOS晶体管的区域中，形成第二P型阱层；第二N型阱层形成步骤，在形成高耐压的P型第四横向MOS晶体管和N型纵向MOS晶体管的区域中，分别形成第二N型阱层；体区形成步骤，在形成所述纵向MOS晶体管的所述第二N型阱层内的区域中形成P型体区；利用绝缘膜分别形成元件分离区域以及所述第三横向MOS晶体管和所述第四横向MOS晶体管的电场缓和区域的步骤；在所述电场缓和区域中形成第一低浓度区域的步骤；沟道形成步骤，在形成所述纵向MOS晶体管的区域中，朝向所述半导体衬底的内部进行各向异性蚀刻至未到达N型埋入层的深度，形成沟道；第一栅绝缘膜形成步骤，沿着所述半导体衬底上的表面和所述沟道的壁面形成第一栅绝缘膜；第一多晶硅层形成步骤，在所述第一栅绝缘膜上形成N型第一多晶硅层；第一栅电极形成步骤，对所述第一多晶硅层进行蚀刻，在所述沟道内形成第一栅电极；第二栅绝缘膜形成步骤，在形成所述第三横向MOS晶体管和所述第四横向MOS晶体管的第三栅绝缘膜的预定区域中，形成相对较厚的第二栅绝缘膜；第三栅绝缘膜形成步骤，在所述半导体衬底上，形成用于所述第一横向MOS晶 体管和所述第二横向MOS晶体管的相对较薄的第三栅绝缘膜；蚀刻步骤，去除所述沟道的所述第一栅电极上的所述第三栅绝缘膜；第二多晶硅层形成步骤，在所述半导体衬底上形成未掺杂的第二多晶硅层；向第二多晶硅层导入高浓度杂质的步骤，在所述第一横向MOS晶体管和所述第三横向MOS晶体管的所述第二多晶硅层中导入N型高浓度杂质，在所述第二横向MOS晶体管和所述第四横向MOS晶体管的所述第二多晶硅层中导入P型高浓度杂质；第二栅电极形成步骤，对所述第二多晶硅层进行蚀刻，形成所述第一栅电极上的第二栅电极、和所述第一横向MOS晶体管～第四横向MOS晶体管的第二栅电极；低浓度N型区域形成步骤，以所述第一横向MOS晶体管形成区域的所述第二栅电极为掩模自匹配地导入N型杂质，形成第二低浓度N型杂质区域；低浓度P型区域形成步骤，以所述第二横向MOS晶体管形成区域的所述第二栅电极为掩模自匹配地导入P型杂质，形成第二低浓度P型杂质区域；N型源/漏形成步骤，在所述第一横向MOS晶体管形成区域的离开所述第二栅电极的区域、以及所述纵向MOS晶体管形成区域的与沟道相接的区域中导入N型杂质，形成高浓度N型杂质区域；以及P型源/漏形成步骤，在所述第二横向MOS晶体管形成区域的离开所述第二栅电极的区域中导入P型杂质，形成高浓度P型杂质区域。 |
