发明名称 冷壁流化床及其应用
摘要 本发明涉及一种冷壁流化床及其应用,属于多晶硅制备技术领域。其提供一种以改进的冷壁流化床,及以其为设备,用三氯氢硅(SiHCl3)和H2为原料,在冷壁流化床内,高温加压下发生还原反应,制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅。本发明以此冷壁流化床为基础,制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅,其生产过程简单方便,适于工业化生产。
申请公布号 CN103172067A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201310120330.X 申请日期 2013.04.08
申请人 无锡中彩科技有限公司 发明人 杨恺;周大荣;郑小勇;孙建荣;蒋敏;顾豪杰
分类号 C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/03(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种冷壁流化床,包括流化床(9),流化床(9)下端设置有一个气体混合器(3),所述气体混合器(3)于出料管道连接,出料管道上依次设置有第二原料进气口(2)和第一原料进气口(1);其中第一原料进气口(1)的下端还设置有一个出口阀门(18),出口阀门(18)的下方为出口(19);所述流化床(9)上端设置有加料管(13)和旋风分离器(11);旋风分离器(11)上端为尾气出口(12);其特征是:所述流化床(9)于气体混合器(3)之间还设置有一流化床分布板(17),流化床分布板(17)通过两个电极(16)与内置加热器(8)相连接;所述内置加热器(8)位于流化床(9)内部;所述流化床(9)的外壁(7)上还包覆有冷却夹套(14)。
地址 214183 江苏省无锡市惠山区玉祁街道玉东开发区