发明名称 |
天线耦合太赫兹探测器 |
摘要 |
本发明公开了一种天线耦合太赫兹探测器,其包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器;所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面,所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接,所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面;所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下,向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚,所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。本发明提供的太赫兹天线通过够汇聚太赫兹电磁波,提高了本发明的探测性能以及工作温度,并且本发明生产工艺较简单。 |
申请公布号 |
CN103178150A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201310079737.2 |
申请日期 |
2013.03.13 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
刘惠春;杨耀;张月蘅 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
胡晶 |
主权项 |
一种天线耦合太赫兹探测器,其特征在于,包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器;所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面,所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接,所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面; 所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下,向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚,所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |