晶片加工方法

摘要

本发明提供一种晶片加工方法，在晶片内部形成变质层的情况下，防止在搬运时晶片以变质层为起点断裂，并且在晶片背面形成反射膜的情况下也能够利用激光工序的照射在晶片内部形成变质层。该晶片加工方法至少包括：变质层形成工序，对于具有形成有多个器件的器件区域及围绕器件区域的外周剩余区域的晶片（W），以波长相对于晶片（W）具有透过性的激光光线在其内部沿分割预定线聚光并形成作为分割起点的变质层（32）；和搬运工序，将该晶片（W）搬运到下一工序，在变质层形成工序中，在晶片（W）的外周剩余区域未形成有变质层（32）而是形成外周加强部（W3），使得在搬运工序中晶片（W）不会以变质层（32）为起点发生断裂。

主权项

一种晶片加工方法，所述晶片在表面具有器件区域及围绕所述器件区域的外周剩余区域，所述器件区域在由多条分割预定线划分出的各区域分别形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，所述晶片加工方法至少包括下述工序：变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于所述晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从所述晶片的背面侧进行照射，沿分割预定线形成作为分割的起点的变质层；和搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从所述保持构件搬出，并将所述晶片搬运到下一工序，在所述变质层形成工序中，在晶片的外周剩余区域残留外周加强部而不形成变质层。