一种Ga空位可调的GaN纳米结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种Ga空位可调的GaN纳米结构的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，以高纯Ga2O3粉和NH3气分别作为Ga源和N源，将Ga2O3粉置于陶瓷舟中，将陶瓷舟置于加热区，密封水平管式炉，炉内真空度抽至1×10-2Pa以下，通入流量为100sccm的氩气，对管式炉进行加热。温度达到980℃时，通入流量为100-200sccm的氨气并保持3h。停止加热，自然降温至600℃，再次打开加热装置，升温至980℃保持2h。自然冷却到室温，关掉氩气，取出样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀且可控性好，对环境危害小，易于推广。

主权项

一种Ga空位可调的GaN纳米结构的制备方法：本方法采用化学气相沉积法，在陶瓷舟中生出Ga空位可调的GaN纳米结构。所用系统由硅钼棒加热的水平管式炉、气路系统和真空系统组成。高纯Ga2O3粉末和NH3气分别作为Ga源和N源。将高纯Ga2O3粉末置于陶瓷舟中，并将陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉。使用机械泵和扩散泵对系统抽真空，使炉内真空度抽至1×10‑2 Pa以下，除去系统中残留的水气和氧气。通入流量为100 sccm的氩气，并对管式炉进行加热。当管式炉加热区的温度达到980℃时，通入流量为100‑200 sccm的氨气并保持3h。然后，停止加热，自然降温至600℃，再次打开加热装置，并升温至980℃保持2h。最后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出陶瓷舟，得到样品。