发明名称 具有降低了的模糊和颜色混合的固态图像传感器
摘要 本发明涉及具有降低了的模糊和颜色混合的固态图像传感器。能够抑制模糊和颜色混合的固态成像装置包括多个像素,每个像素包含光电转换部分和用于传送来自光电转换部分的信号电荷的传送部分,其中,在半导体基板上形成的第一导电类型的阱区域中形成多个光电转换部分,在相邻的光电转换部分之间布置第二导电类型的第一杂质区域,在第一杂质区域和每一个光电转换部分之间布置杂质浓度比阱区域的杂质浓度高的第一导电类型的第二杂质区域,并且,在半导体基板和第一杂质区域之间布置杂质浓度比阱区域的杂质浓度高并且从半导体基板向装置的表面方向减小的第一导电类型的第三杂质区域。
申请公布号 CN103178073A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201310011483.0 申请日期 2009.03.25
申请人 佳能株式会社 发明人 河野祥士;小泉彻
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 陈华成
主权项 一种固态成像装置,包括:多个像素,每个像素包含:用于将入射光转换成信号电荷的光电转换部分;和用于传送来自光电转换部分的信号电荷的传送部分,其中,光电转换部分和传送部分被至少布置在半导体基板上,光电转换部分包含用于蓄积信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域和与第一半导体区域形成PN结的第二导电类型的第二半导体区域,第一导电类型的第三半导体区域被布置在相邻的第一半导体区域之间,具有第二导电类型并且杂质浓度比第二半导体区域的杂质浓度高的第四半导体区域被布置在第一半导体区域和第三半导体区域之间,并且,具有第二导电类型的第五半导体区域被布置在第三半导体区域下面,所述第五半导体区域的杂质浓度比第二半导体区域的杂质浓度高,从而形成使得杂质浓度向着表面方向逐渐降低的杂质浓度轮廓。
地址 日本东京