发光芯片及发光芯片的制造方法

摘要

本发明公开一种发光芯片及其制造方法。发光芯片包括一外延半导体结构、一导热层、一第一电极以及一第二电极。外延半导体结构具有一第一表面、与第一表面相对的一第二表面以及一侧表面。导热层位于外延半导体结构的第一表面之侧，其中导热层的热传导系数大于200W/mk。第一电极位于导热层远离外延半导体结构的一侧。第二电极位于外延半导体结构的第二表面以与第一电极相对。

主权项

一种发光芯片，包括：外延半导体结构，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及侧表面；导热层，位于该外延半导体结构的该第一表面之侧，其热传导系数大于200W/mk；以及第一电极，位于该导热层远离该外延半导体结构的一侧；以及第二电极，位于该外延半导体结构的该第二表面之侧以与该第一电极相对。